IXFK170N10P
Framleiðandi Vöru númer:

IXFK170N10P

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXFK170N10P-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Birgðir:

12916692
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXFK170N10P Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
198 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
715W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-264AA (IXFK)
Pakki / hulstur
TO-264-3, TO-264AA
Grunnvörunúmer
IXFK170

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
25

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQJ422EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD2N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

nexperia

PSMN2R4-30MLDX

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

vishay-siliconix

SI3445ADV-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP