Framleiðandi Vöru númer:
IXFH9N80Q
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFH9N80Q-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Birgðir:
12819707
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFH9N80Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
HiPerFET™, Q Class
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
180W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AD (IXFH)
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IXFH9
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPW17N80C3FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
452
HLUTARNÁMR
SPW17N80C3FKSA1-DG
Einingaverð
2.35
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STW10NK80Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
39
HLUTARNÁMR
STW10NK80Z-DG
Einingaverð
2.27
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SPW11N80C3FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2520
HLUTARNÁMR
SPW11N80C3FKSA1-DG
Einingaverð
1.49
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFS23N20DTRRP
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
