Framleiðandi Vöru númer:
IXFH80N25X3
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFH80N25X3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Birgðir:
21 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12820730
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFH80N25X3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Ultra X3
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5430 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
390W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247 (IXTH)
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IXFH80
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
-IXFH80N25X3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF250P224
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
323
HLUTARNÁMR
IRF250P224-DG
Einingaverð
5.12
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFK78N50P3
MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
IXTQ64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
