Framleiðandi Vöru númer:
IXFH32N100X
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFH32N100X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247
Birgðir:
1 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12823945
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFH32N100X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Ultra X
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4075 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
890W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IXFH32
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SCT20N120
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
580
HLUTARNÁMR
SCT20N120-DG
Einingaverð
10.66
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SCT3160KLGC11
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2223
HLUTARNÁMR
SCT3160KLGC11-DG
Einingaverð
5.38
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
MCQ4410-TP
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOP
2N7000-AP
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
MCP60P06-BP
P-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H) PA
