Framleiðandi Vöru númer:
IXFH16N60P3
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFH16N60P3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Birgðir:
12820530
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFH16N60P3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
HiPerFET™, Polar3™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1830 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
347W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247 (IXTH)
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IXFH16
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
-IXFH16N60P3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFPC50APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
4648
HLUTARNÁMR
IRFPC50APBF-DG
Einingaverð
1.74
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SPW11N80C3FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2520
HLUTARNÁMR
SPW11N80C3FKSA1-DG
Einingaverð
1.49
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
IXTT50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO268
IXKP20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
