IXFB120N50P2
Framleiðandi Vöru númer:

IXFB120N50P2

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXFB120N50P2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™

Birgðir:

12907618
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
uI3v
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXFB120N50P2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
HiPerFET™, PolarHV™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
19000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1890W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PLUS264™
Pakki / hulstur
TO-264-3, TO-264AA
Grunnvörunúmer
IXFB120

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
-IXFB120N50P2

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXFB132N50P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFB132N50P3-DG
Einingaverð
15.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFBC30STRLPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP23N50L

MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3

vishay-siliconix

IRF610S

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay-siliconix

IRF730STRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK