IRFSL7730PBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRFSL7730PBF

Product Overview

Framleiðandi:

International Rectifier

Völu númer:

IRFSL7730PBF-DG

Lýsing:

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262

Birgðir:

899 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946223
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFSL7730PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
HEXFET®, StrongIRFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
75 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
407 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13660 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IRFSL7730

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
163
Önnur nöfn
2156-IRFSL7730PBF
IFEIRFIRFSL7730PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

2SK3704-1EX

MOSFET N-CH

fairchild-semiconductor

FCP260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

nxp-semiconductors

BUK765R2-40B,118

TRANSISTOR >30MHZ

fairchild-semiconductor

FCP104N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3