IRFHS8242TRPBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRFHS8242TRPBF

Product Overview

Framleiðandi:

International Rectifier

Völu númer:

IRFHS8242TRPBF-DG

Lýsing:

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)

Birgðir:

177700 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12946436

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRFHS8242TRPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Pakkning

Bulk

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

25 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

9.9A (Ta), 21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

10.4 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

653 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.1W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

6-PQFN (2x2)

Pakki / hulstur

6-PowerVDFN

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IRFHS8242TRPBF-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

IRFHS8242PBF Datasheet

Aukainformation

Venjulegur pakki

1,689

Önnur nöfn

ROCIRFIRFHS8242TRPBF

2156-IRFHS8242TRPBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

fairchild-semiconductor

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F

international-rectifier

IRF6722MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT

fairchild-semiconductor

FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3