IRF3703PBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRF3703PBF

Product Overview

Framleiðandi:

International Rectifier

Völu númer:

IRF3703PBF-DG

Lýsing:

IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

21172 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946819
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRF3703PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8250 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
167
Önnur nöfn
2156-IRF3703PBF-IR
INFIRFIRF3703PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDG316P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQU8P10TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMC7672

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

fairchild-semiconductor

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3