IRF2805PBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRF2805PBF

Product Overview

Framleiðandi:

International Rectifier

Völu númer:

IRF2805PBF-DG

Lýsing:

IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

1042 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946770
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRF2805PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5110 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
243
Önnur nöfn
2156-IRF2805PBF
IFEIRFIRF2805PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDP16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3