Framleiðandi Vöru númer:
SPW20N60C3FKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPW20N60C3FKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Birgðir:
2123 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12807451
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPW20N60C3FKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-1
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SPW20N60
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
2156-SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN-NDR
SPW20N60C3XK
SPW20N60C3IN-DG
SP000013729
SPW20N60C3
SPW20N60C3FKSA1-DG
SPW20N60C3IN
448-SPW20N60C3FKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPU04N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251-3
SPD04N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
