Framleiðandi Vöru númer:
SPP20N60S5HKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP20N60S5HKSA1-DG
Lýsing:
HIGH POWER_LEGACY
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12807624
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP20N60S5HKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP20N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000012116
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCP20N60
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3963
HLUTARNÁMR
FCP20N60-DG
Einingaverð
2.38
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SPP20N60S5XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
3452
HLUTARNÁMR
SPP20N60S5XKSA1-DG
Einingaverð
2.57
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
ISP26DP06NMSATMA1
MOSFET P-CH 60V SOT223
TP5335K1-G
MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
IRLU024N
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
