SPP04N80C3XK
Framleiðandi Vöru númer:

SPP04N80C3XK

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

SPP04N80C3XK-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Birgðir:

12807670
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SPP04N80C3XK Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP04N

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000013706
2156-SPP04N80C3XK
IFEINFSPP04N80C3XK

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
SPP04N80C3XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
590
HLUTARNÁMR
SPP04N80C3XKSA1-DG
Einingaverð
0.65
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

SPB04N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO263-3

infineon-technologies

SPU01N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3

infineon-technologies

IRLR7821PBF

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

infineon-technologies

SPU02N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3