Framleiðandi Vöru númer:
SPI11N65C3XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPI11N65C3XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Birgðir:
12805838
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPI11N65C3XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3-1
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
SPI11N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SPI11N65C3-DG
SPI11N65C3X
SPI11N65C3IN-DG
SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3XK
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STI20N65M5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1000
HLUTARNÁMR
STI20N65M5-DG
Einingaverð
1.27
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
STP18N65M5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
896
HLUTARNÁMR
STP18N65M5-DG
Einingaverð
1.26
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFH8325TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
IRFH5020TRPBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
SPD08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
