Framleiðandi Vöru númer:
SPI11N60CFDHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPI11N60CFDHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Birgðir:
12807233
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPI11N60CFDHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3-1
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
SPI11N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000229994
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-DG
SP000680990
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP13NM60ND
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
87
HLUTARNÁMR
STP13NM60ND-DG
Einingaverð
1.64
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLHM630TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
IRF1010EZLPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO262
IRL1104S
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
