Framleiðandi Vöru númer:
SPI08N50C3XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPI08N50C3XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 560 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Birgðir:
12807358
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPI08N50C3XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
560 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3-1
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
SPI08N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SPI08N50C3
SPI08N50C3IN-DG
IFEINFSPI08N50C3XKSA1
SPI08N50C3-DG
SPI08N50C3IN
2156-SPI08N50C3XKSA1-IT
SP000680984
SPI08N50C3XK
SPI08N50C3X
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFSL9N60APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
900
HLUTARNÁMR
IRFSL9N60APBF-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLU8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
IRF1010NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
