Framleiðandi Vöru númer:
SPB18P06PGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPB18P06PGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
2030 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13064319
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPB18P06PGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SIPMOS®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
81.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SPB18P06
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000102181
SPB18P06P G-ND
SPB18P06PGINDKR-ND
SPB18P06PGINDKR
SPB18P06PGINTR-ND
SPB18P06PGXT
SPB18P06PGINCT-ND
SPB18P06PGATMA1CT
SPB18P06PGINCT
SPB18P06PGATMA1TR
SPB18P06PGATMA1DKR
2156-SPB18P06PGATMA1
IFEINFSPB18P06PGATMA1
SPB18P06P G
SPB18P06PGINTR
SPB18P06PG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
