Framleiðandi Vöru númer:
SPB02N60S5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPB02N60S5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
87 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12806637
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPB02N60S5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Cut Tape (CT)
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SPB02N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SPB02N60S5
SPB02N60S5INTR-DG
SPB02N60S5ATMA1CT
SPB02N60S5INCT
SP000012388
SPB02N60S5INTR
SPB02N60S5-DG
SPB02N60S5INDKR
SPB02N60S5ATMA1TR
SPB02N60S5XT
SPB02N60S5INCT-DG
SPB02N60S5ATMA1DKR
SPB02N60S5INDKR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD3N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3586
HLUTARNÁMR
STD3N62K3-DG
Einingaverð
0.36
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF8734TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IRF7807VPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRL3103SPBF
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
