Framleiðandi Vöru númer:
ISP25DP06NMXTSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
ISP25DP06NMXTSA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
3973 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12807335
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ISP25DP06NMXTSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
420 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
ISP25DP06
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP004987272
ISP25DP06NMXTSA1-DG
448-ISP25DP06NMXTSA1DKR
448-ISP25DP06NMXTSA1TR
448-ISP25DP06NMXTSA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB4510GPBF
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
SPD08N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
SPD04N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
