ISP13DP06NMSATMA1

Framleiðandi Vöru númer:

ISP13DP06NMSATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

ISP13DP06NMSATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 60V SOT223

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 60 V 2.8A (Ta) Surface Mount PG-SOT223

Birgðir:

RFQ á netinu

12806517

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

ISP13DP06NMSATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

OptiMOS™

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

60 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds á (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (hámark)

±20V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

-

Hitastig rekstrar

-

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PG-SOT223

Pakki / hulstur

TO-261-4, TO-261AA

Grunnvörunúmer

ISP13DP06

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

ISP13DP06NMSATMA1-DG

Gagnaplakks

ISP13DP06NMSATMA1

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

2156-ISP13DP06NMSATMA1TR

448-ISP13DP06NMSATMA1DKR

ISP13DP06NMSATMA1-DG

448-ISP13DP06NMSATMA1CT

SP004987238

448-ISP13DP06NMSATMA1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

SPA07N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP

infineon-technologies

IRFU15N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 17A IPAK

infineon-technologies

IRF5210STRLPBF

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

infineon-technologies

IRF5305LPBF

MOSFET P-CH 55V 31A TO262