IRLS3813PBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRLS3813PBF

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRLS3813PBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK

Birgðir:

12805917
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRLS3813PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8020 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
195W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001576946

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
STB270N4F3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3013
HLUTARNÁMR
STB270N4F3-DG
Einingaverð
2.04
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRL3713PBF

MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

infineon-technologies

IRFSL5615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A TO262

infineon-technologies

IRF8721PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

infineon-technologies

IRF3315STRRPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK