Framleiðandi Vöru númer:
IRFSL59N10D
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFSL59N10D-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 59A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
12815463
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFSL59N10D Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2450 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRFSL59N10D
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF250P224
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
DN3525N8-G
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
IPA075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
