Framleiðandi Vöru númer:
IRFS4229PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFS4229PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
12806599
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFS4229PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4560 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2156-IRFS4229PBF
SP001576214
INFINFIRFS4229PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA30N25X3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
195
HLUTARNÁMR
IXFA30N25X3-DG
Einingaverð
3.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SUM45N25-58-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
6328
HLUTARNÁMR
SUM45N25-58-E3-DG
Einingaverð
1.90
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STB75NF20
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STB75NF20-DG
Einingaverð
2.66
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPB11N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
IRL3714Z
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
