Framleiðandi Vöru númer:
IRFP4768PBFXKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFP4768PBFXKMA1-DG
Lýsing:
TRENCH >=100V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-901
Birgðir:
400 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13005586
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFP4768PBFXKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
93A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10880 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
520W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-901
Pakki / hulstur
TO-247-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
SP005738314
448-IRFP4768PBFXKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
DI110N06D2
MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
MMFTN210A
MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
IRF8721TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
