Framleiðandi Vöru númer:
IRFI4229PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFI4229PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
411 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13064110
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFI4229PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4480 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
46W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFI4229
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001575824
2156-IRFI4229PBF
INFINFIRFI4229PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFB4229PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
993
HLUTARNÁMR
IRFB4229PBF-DG
Einingaverð
1.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDPF2710T
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FDPF2710T-DG
Einingaverð
2.34
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPZ60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
IRF1010NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
IRF2805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
