Framleiðandi Vöru númer:
IRFI4227PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFI4227PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Birgðir:
6294 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805157
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFI4227PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
46W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB Full-Pak
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IRFI4227
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001564096
448-IRFI4227PBF
IRFI4227PBF-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7807D2PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPD950P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
