Framleiðandi Vöru númer:
IRFH5210TR2PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFH5210TR2PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Birgðir:
12818599
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFH5210TR2PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 55A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2570 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-PQFN (5x6)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
400
Önnur nöfn
IRFH5210TR2PBFCT
IRFH5210TR2PBFTR
SP001556356
IRFH5210TR2PBFDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TPH12008NH,L1Q
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
5000
HLUTARNÁMR
TPH12008NH,L1Q-DG
Einingaverð
0.35
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STL60N10F7
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2720
HLUTARNÁMR
STL60N10F7-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
DMT10H015LFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
37130
HLUTARNÁMR
DMT10H015LFG-7-DG
Einingaverð
0.37
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPP024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF6713STRPBF
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
