Framleiðandi Vöru númer:
IRFB812PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFB812PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12819665
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFB812PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFB812
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
2156-IRFB812PBF
SP001563948
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STU4N52K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2513
HLUTARNÁMR
STU4N52K3-DG
Einingaverð
0.45
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP1R6N50D2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTP1R6N50D2-DG
Einingaverð
1.55
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STP4N52K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2208
HLUTARNÁMR
STP4N52K3-DG
Einingaverð
0.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
IXFK44N55Q
MOSFET N-CH 550V 44A TO264AA
IXFH80N10Q
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
