Framleiðandi Vöru númer:
IRFB4110PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFB4110PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
6327 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805905
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFB4110PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
9620 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
370W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFB4110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
64-0076PBF-DG
448-IRFB4110PBF
64-0076PBF
SP001570598
IRFB4110PBF-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IRFR2407TRRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK