Framleiðandi Vöru númer:
IRFB3006PBFXKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFB3006PBFXKMA1-DG
Lýsing:
TRENCH 40<-<100V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
13269278
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFB3006PBFXKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8970 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
-
Hæfni
-
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP005732685
448-IRFB3006PBFXKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFB3006PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
3175
HLUTARNÁMR
IRFB3006PBF-DG
Einingaverð
1.82
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IMZA75R016M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP70N10S3L12AKSA2
MOSFET_(75V 120V(
IMZA65R050M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET