Framleiðandi Vöru númer:
IRF9Z34NLPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF9Z34NLPBF-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
12805099
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF9Z34NLPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001570616
*IRF9Z34NLPBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
IPSA70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
IRF3706
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
