Framleiðandi Vöru númer:
IRF8113GPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF8113GPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
12803426
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF8113GPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2910 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
95
Önnur nöfn
SP001560088
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4386DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1535
HLUTARNÁMR
SI4386DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDS8870
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
2621
HLUTARNÁMR
FDS8870-DG
Einingaverð
0.66
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
AO4430
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
8910
HLUTARNÁMR
AO4430-DG
Einingaverð
0.33
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7467TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRF2807PBF
MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
IRFR12N25D
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
