IRF7465TRPBFXTMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IRF7465TRPBFXTMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF7465TRPBFXTMA1-DG

Lýsing:

PLANAR 40<-<100V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Birgðir:

13269400
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRF7465TRPBFXTMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
-
Hæfni
-
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Aukainformation

Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
448-IRF7465TRPBFXTMA1TR
SP005876284

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99

Valkostamódeli

Partanúmer
IRF7465TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
19748
HLUTARNÁMR
IRF7465TRPBF-DG
Einingaverð
0.28
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IMBG65R007M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

BSB028N06NN3GXUMA2

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IMW65R015M2HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMBG65R040M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET