Framleiðandi Vöru númer:
IRF7341TRPBFXTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF7341TRPBFXTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 55V 4.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount PG-DSO-8-902
Birgðir:
6385 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13000554
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF7341TRPBFXTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.7A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
740pF @ 25V
Kraftur - hámark
2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Birgir tæki pakki
PG-DSO-8-902
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR
SP005876277
448-IRF7341TRPBFXTMA1TR
448-IRF7341TRPBFXTMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
2N7002DWK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
IRF7103TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902