Framleiðandi Vöru númer:
IRF6717MTR1PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6717MTR1PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Birgðir:
12806883
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6717MTR1PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38A (Ta), 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6750 pF @ 13 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MX
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MX
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IRF6717MTR1PBFCT
IRF6717MTR1PBFTR
SP001527004
IRF6717MTR1PBFDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF6717MTRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
8674
HLUTARNÁMR
IRF6717MTRPBF-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLMS4502TR
MOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6
IRLB8721PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
SPD03N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3
