Framleiðandi Vöru númer:
IRF6691TR1PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6691TR1PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Birgðir:
12857091
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6691TR1PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
32A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
71 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6580 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MT
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MT
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IRF6691TR1PBFCT
SP001530288
IRF6691TR1PBFTR
IRF6691TR1PBFDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTD4858NAT4G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
NVTFWS008N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75