IRF6616

Framleiðandi Vöru númer:

IRF6616

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF6616-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 30 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Birgðir:

RFQ á netinu

12822389

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF6616 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

19A (Ta), 106A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

3765 pF @ 20 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Hitastig rekstrar

-40°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

DIRECTFET™ MX

Pakki / hulstur

DirectFET™ Isometric MX

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

4,800

Önnur nöfn

SP001530696

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

3 (168 Hours)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

littelfuse

IXFK26N120P

MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA

VM0550-2F

MOSFET N-CH 100V 590A MODULE

IRF7455

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

nxp-semiconductors

BUK9E1R9-40E,127

MOSFET N-CH 40V I2PAK