Framleiðandi Vöru númer:
IRF6607TR1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6607TR1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Birgðir:
12808408
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6607TR1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
27A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6930 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MT
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MT
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001530714
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TN2124K1-G
MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
IRFR5505TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
VP0104N3-G
MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3