Framleiðandi Vöru númer:
IRF640NL
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF640NL-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
12803129
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF640NL Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1160 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRF640NL
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FQI27N25TU
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
600
HLUTARNÁMR
FQI27N25TU-DG
Einingaverð
1.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRF640NLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
794
HLUTARNÁMR
IRF640NLPBF-DG
Einingaverð
0.90
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB180N03S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IRF3706PBF
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
IRFZ34NSPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
