IRF5801TRPBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRF5801TRPBF

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF5801TRPBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

Birgðir:

9370 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12803209

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF5801TRPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

200 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

600mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

3.9 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

88 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

Micro6™(TSOP-6)

Pakki / hulstur

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Grunnvörunúmer

IRF5801

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IRF5801TRPBF-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

IRF5801TRPBFTR

IRF5801TRPBFDKR

IRF5801TRPBFCT

IRF5801TRPBF-DG

SP001570104

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPP50R399CPHKSA1

MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3

infineon-technologies

IPD70P04P409ATMA1

MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3

infineon-technologies

IRF3707PBF

MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

infineon-technologies

IPT012N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF