Framleiðandi Vöru númer:
IRF5210PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF5210PBF-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
6302 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12814898
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
wEnw
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF5210PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF5210
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001559642
*IRF5210PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
CSD25301W1015
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
IRF1405Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
