IRF5210LPBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRF5210LPBF

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF5210LPBF-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 100V 38A TO262

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262

Birgðir:

RFQ á netinu

12804663

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF5210LPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

38A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

230 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2780 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.1W (Ta), 170W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-262

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

IRF5210

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1,000

Önnur nöfn

2156-IRF5210LPBF

SP001564364

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPP60R170CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3

infineon-technologies

IPP60R600P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3

infineon-technologies

IRFH7004TR2PBF

MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6

infineon-technologies

IRFU3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 60A IPAK