Framleiðandi Vöru númer:
IRF3711S
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF3711S-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
12823575
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF3711S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2980 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRF3711S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB80NF03L-04T4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
691
HLUTARNÁMR
STB80NF03L-04T4-DG
Einingaverð
1.90
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7452TR
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
BUK9C1R3-40EJ
MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
IXFH22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
