Framleiðandi Vöru númer:
IRF3710LPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF3710LPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 57A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
12803509
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF3710LPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3130 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
2156-IRF3710LPBFINF
SP001551048
*IRF3710LPBF
IFEINFIRF3710LPBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF1607
MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
IRF3415STRRPBF
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
IPP057N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3