Framleiðandi Vöru númer:
IRF3205STRLPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF3205STRLPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
5297 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12816120
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF3205STRLPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3247 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRF3205
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
IRF3205STRLPBF-DG
SP001576758
IRF3205STRLPBFTR
IRF3205STRLPBFDKR
IRF3205STRLPBFCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
SPS03N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
IRFB7440GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
