Framleiðandi Vöru númer:
IRF3205PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF3205PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
24358 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802825
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF3205PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3247 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF3205
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
64-0085PBF
64-0085PBF-DG
2156-IRF3205PBF
SP001559536
INFIRFIRF3205PBF
*IRF3205PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPI80N06S405AKSA2
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
IPI80N06S405AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
