Framleiðandi Vöru númer:
IRF1018ESLPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF1018ESLPBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
12803825
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF1018ESLPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
79A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001550908
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDP038AN06A0
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
245
HLUTARNÁMR
FDP038AN06A0-DG
Einingaverð
1.56
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
IPP60R125CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
IRF7476
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
