Framleiðandi Vöru númer:
IRF100P219XKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF100P219XKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12810231
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF100P219XKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
StrongIRFET™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
203A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
12020 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
341W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IRF100
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
SP001619552
IRF100P219
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF100P219AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
383
HLUTARNÁMR
IRF100P219AKMA1-DG
Einingaverð
3.56
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
VP0550N3-G
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
IRF6643TR1PBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
