Framleiðandi Vöru númer:
IPZ60R017C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPZ60R017C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Birgðir:
257 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804554
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPZ60R017C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
109A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.91mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
9890 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
446W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-4
Pakki / hulstur
TO-247-4
Grunnvörunúmer
IPZ60R017
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
2156-IPZ60R017C7XKSA1
SP001369912
INFINFIPZ60R017C7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7321D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
IRF7832PBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
IPI60R199CPXKSA2
HIGH POWER_LEGACY
