Framleiðandi Vöru númer:
IPW90R120C3FKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW90R120C3FKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Birgðir:
13064222
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW90R120C3FKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.9mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6800 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
417W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-1
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW90R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
IPW90R120C3-ND
IPW90R120C3
SP000413750
IPW90R120C3XK
Q4173182
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SCT30N120
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SCT30N120-DG
Einingaverð
14.70
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPW90R120C3XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
36
HLUTARNÁMR
IPW90R120C3XKSA1-DG
Einingaverð
9.58
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
STY50N105DK5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STY50N105DK5-DG
Einingaverð
16.84
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB4332PBF
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
IRFR3607PBF
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
IRF7413PBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
